目的 探讨不同基因型胶质母细胞瘤细胞系辐射抵抗性的差异及其原因。方法 选取三 种不同基因型 GBM 细胞系(U87MG、U251MG、U118MG),利用外显子测序技术检测 P53、PTEN 基因突变情 况,蛋白免疫印迹检测 MGMT 表达情况。不同剂量(2、5、10 Gy)辐射后,采用流式细胞术检测细胞凋亡水 平、平板克隆形成检测细胞增殖能力,分析其辐射抵抗性。利用蛋白免疫印迹检测 DNA 损伤标记蛋白 (γH2AX)、NF⁃κB效应分子(RELA/p65)及EGFR在辐射后48 h内激活情况,分析DNA损伤与NF⁃κB及EGFR 信号通路激活的相关性。结果 U87MG、U251MG、U118MG 均存在 P53 与 PTEN 的突变位点,其中 U87MG、 U251MG 低表达 MGMT,U118MG 高表达 MGMT。经过 2、5、10 Gy 辐射后 48 h,各剂量均存在凋亡率变化 值:U87MG > U118MG > U251MG,存活分数:U251MG > U118MG > U87MG。三种细胞系经辐射后γH2AX、 RELA/p65、EGFR 的激活均存在时间与剂量差异性。结论 辐射抵抗性:U251MG > U118MG > U87MG,提 示 GBM 细胞系辐射抵抗性与其基因型有关。三种细胞系辐射后 NF⁃κB 通路与 EGFR 通路的激活存在差 异,最终导致其辐射抵抗性差异。